韩国芯片制造商SK海力士周四表示，计划于2029年第三季度在印第安纳州工厂开始量产新一代HBM4E芯片。该公司首席执行官郭鲁正表示，该工厂最终年产能将达到数十万片晶圆，并预计当前的内存芯片短缺将持续至2030年底。
这项投资超过40亿美元的项目标志着SK海力士美国业务的重大扩张。随着人工智能（AI）投资激增，高带宽内存（HBM）需求迅速增长，SK海力士希望让生产基地更靠近英伟达、微软以及Alphabet旗下谷歌等主要客户。
郭鲁正表示，他并未看到内存芯片行业进入下行周期的明显迹象，并预计即使最终出现放缓，需求也只会趋于温和，而不是大幅下降。他还称，不担心2030年以后的市场前景。
该公司预计，到2030年，印第安纳州工厂将成为其在美国的关键HBM生产基地，将设有新一代HBM封装生产线和AI半导体研发设施。郭鲁正称，这家工厂计划于2028年下半年开始洁净室运营。
SK海力士表示，该工厂将与公司在韩国的生产基地紧密协同运作：在韩国生产出的先进晶圆将运往印第安纳州进行封装和测试，随后供应给美国客户。
郭鲁正表示，SK海力士旨在在美国建立一条先进内存供应链。
HBM是一种专门设计的芯片，通过将多层芯片垂直堆叠，在降低功耗的同时实现更快的数据处理速度，因此特别适合满足AI应用庞大的算力需求。
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Counterpoint Research数据显示，2026年第一季度，SK海力士按营收计算占据全球HBM市场58%的份额，远超三星电子005930.KS 和美光科技MU.O ，后两者各占21%。
作为SK海力士的主要客户，Nvidia周三预测下财年营收将激增70%，凸显人工智能（AI）算力需求持续强劲，并增强投资者对AI支出热潮持续性的信心。而郭鲁正的言论表明，SK海力士认为目前尚无迹象表明内存周期将在短期内出现逆转。
SK海力士预计，该工厂及相关供应链投资将在当地创造约7，000个直接和间接就业岗位，并有助于增强半导体供应链的韧性。
美国政府2024年12月根据《芯片法案》最终敲定向SK海力士提供4.58亿美元补贴及最高5亿美元贷款。此外，公司董事会本月早些时候批准截至2031年约54.3万亿韩元（383亿美元）的投资计划，其中包括用于其韩国本土芯片制造厂第二阶段建设的35.2万亿韩元。
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责任编辑：于健 SF069
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